Tajvani és TSMC-kutatók egy alig 0,42 nanométeres alumínium-oxid réteggel oldották meg az atomi vékonyságú chipek egyik legmakacsabb problémáját.
A National Yang Ming Chiao Tung University (NYCU) és a TSMC közös csapata molibdén-diszulfid (MoS2) alapú, egyetlen atomréteg vastag félvezetőn dolgozott. A gond eddig az volt, hogy ezekre a felületekre nem lehetett egyenletesen ráépíteni a tranzisztorhoz szükséges szigetelő réteget (gate dielectric) anélkül, hogy az elektronáramlás megsérülne.
A kutatók ezért egy vékony alumíniumréteget vittek fel a MoS2-re, amit ezután oxidáltak, így alakult ki a mindössze 0,42 nanométeres alumínium-oxid puffer. Erre került rá a hafnium-oxid szigetelő. Az eredmény: alacsony szivárgási áram, stabil működés, és mindezt egy nagyjából 100 nanométeres csatornahosszúságú tranzisztoron mérve.
A lényeg nem is maga az anyag, hanem a megközelítés: a kutatók szerint a jövő chipfejlesztése nem csak új anyagok kereséséről fog szólni, hanem arról is, hogy milyen pontosan tudjuk megtervezni a néhány atom vastag határfelületeket az anyagok között. Ez még messze van a tömeggyártástól, de jó irány lehet a szilícium utáni korszakhoz.
Forrás: TechXplore
